- 1概述當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術已得到廣泛應用，數據傳輸率一再被提升，現已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數據傳輸質量的可靠性和滿足并行總線的時序要求，對設計實現提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
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DDR3內存 PCB仿真 時序分析
- 日本爾必達公司近日宣布，針對下一代移動設備如智能手機和平板電腦的LPDDR3內存顆粒開發(fā)完成，預計年底開始試產，2012年下半年開始量產。目前市面上的所今ARM架構SoC處理器以及新鮮亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的內存控制器均為LPDDR2。爾必達這一產品瞄準的應該是ARM Cortex-A15架構SoC上市后的廣大市場空間，以及有可能加入戰(zhàn)局的Intel Medfield核心SoC。
爾必達新鮮研發(fā)的LPDDR3內存顆粒采用30nm CMOS制程，FB
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爾必達 DDR3內存
- 內存生產商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領先者三星之前推出。 DDR3的數據傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設備的電池壽命。美光內存部門高級營銷主管比
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