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矽力杰集成功率級DrMOS方案

  • 伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展，主板的供電設計也迎來了更多的挑戰(zhàn)，大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代，SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。01 矽力杰 DrMOS 方案SQ29663采用業(yè)界標準封裝，芯片內(nèi)部集成兩個高性能的MOS和驅(qū)動及控制單元，通過優(yōu)化設計的內(nèi)部結構和驅(qū)動控制，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電
  • 關鍵字： 矽力杰  DrMOS  

單芯片驅(qū)動器+ MOSFET技術 改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
  • 關鍵字： 單芯片  驅(qū)動器  MOSFET  DrMOS  電源系統(tǒng)設計  

電源系統(tǒng)設計優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)

  • 現(xiàn)階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應的驅(qū)動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對這
  • 關鍵字： 電源系統(tǒng)設計  單片驅(qū)動器  MOSFET  DrMOS  

Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  DrMOS  

飛兆XS DrMOS提供更薄的Ultrabook應用解決方案

  • Ultrabook設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰(zhàn)，以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。
  • 關鍵字： 飛兆  電源  XS DrMOS  

Vishay Siliconix 推出高效集成DrMOS解決方案

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。 　　
  • 關鍵字： Vishay  DrMOS  

英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 　　通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS  

處理器的高效率電源管理(08-100)

  • 　　預測到2010年，處理器將工作在1V和100A電流，到2020年希望處理器的電源電壓將是0.7V和更高電流。處理器工作在1V，100A(或更高)和GHz頻率時的高效電源管理成為設計人員面對的困難任務。
  • 關鍵字： Intel  VRD  DrMOS  多相PWM  

飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，F(xiàn)DMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 　　在個人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

瑞薩發(fā)布第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”

  • 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R
  • 關鍵字： 單片機  第二代  集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩科技  

瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”

  • 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
  • 關鍵字： DrMOS  MOSFET  單片機  電源技術  集成驅(qū)動器  模擬技術  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩  
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