eeprom 文章 進(jìn)入eeprom技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲器提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
- 意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度,為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個混合存儲器。嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復(fù)雜的先進(jìn)功能,運行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法,意法半導(dǎo)體的新存儲器可以滿足嵌入式應(yīng)用對存儲容量的日益增長的需求。例如,在耳背式助聽器中,Page EEPROM可以降低物料清單成本,讓助聽器變得更纖薄,佩戴更舒適。除了可穿戴設(shè)備外,Page EEPROM 還是醫(yī)療設(shè)備、資產(chǎn)追蹤器、電動自行車以及其他工業(yè)和消費產(chǎn)品等應(yīng)用的理想選
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avr eeprom保護(hù)方法.
- 在項目中復(fù)制出來的程序,使用時可能有些地方需要修改。編譯環(huán)境:WinAVR-20060421+AVRStudio4.12.498ServicePack4基本思路:每份寫到EEPRM的數(shù)據(jù),都做三個備份,每個備份的數(shù)據(jù)都做CRC16校驗,只要系統(tǒng)運行中出錯,錯誤地修改了EEPROM數(shù)據(jù),那么根據(jù)校驗字節(jié)就知道哪個備份的數(shù)據(jù)被修改了,然后用正確的備份覆蓋出錯的備份,達(dá)到數(shù)據(jù)恢復(fù)的目的。EEPROMSave.h文件:#defineEepromPageSize 64 //頁容量定義#defineEepromPag
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EEPROM 和 flash 這樣講,早就懂了!
- 前幾天看到群里在討論存儲器,有些人一直搞不懂,今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類:RAM 和 ROM。RAM 就不講了,今天主要討論 ROM。rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了prom,可以自己寫入一次,要是寫錯了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機(jī)上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話,為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時
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MSPM0在指定Flash地址開辟模擬EEPROM
- 在嵌入式系統(tǒng)中,諸如變頻器和伺服驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用,乃至CD播放器等眾多消費電子產(chǎn)品,都需要保存最近的用戶設(shè)置,在下次上電后加載使用。如果使用MCU內(nèi)置Flash,一般擦寫次數(shù)限制在10k次,無法滿足壽命和耐久性要求,所以只能通過外置EEPROM實現(xiàn)。TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM,在小容量存儲需求的場合能節(jié)省外部EEPROM芯片,實現(xiàn)成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB,其中低32KB的Flash區(qū)域支持10萬次擦寫,而剩余區(qū)域支持1萬
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
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復(fù)旦微電子推出低功耗超寬電壓I2C串行EEPROM
- 上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司近日推出了低功耗超寬電壓FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存儲器,可滿足CCM、白電、電表儀器、5G通訊、車載等相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用需求。該系列首批容量包含F(xiàn)M24LN64(64Kbit)和FM24LN128(128Kbit)兩個型號。產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍,溫度覆蓋-40℃~+85℃,全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率,5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA,讀寫電流不超過0.8mA,產(chǎn)品滿足400萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存100年的高可靠性
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運作,其評測樣品(evaluation sample)現(xiàn)已開始供應(yīng)。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù),并支持實時記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等,這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性,并且具有高速寫入特點,即使遇到突然斷電的狀況,寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。
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富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品
- 富士通電子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發(fā),將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存,能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均
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數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?
- 多日后,當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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EEPROM和EPROM的區(qū)別在哪里?
- EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器,是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片,EEPROM可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程,一般用在即插即用。EPROM是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計算機(jī)儲存芯片,它是一組浮柵晶體管,被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強紫外線照射來擦除,通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個窗口同時用來進(jìn)行紫外線擦除?! ∫?、EEPROM和EPROM的發(fā)展歷程不同 在微機(jī)的發(fā)展初期,BIOS都
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支持下一代特性的真正的汽車0級認(rèn)證和低壓1級汽車級EEPROM
- 在當(dāng)今時代,我們的出行需要汽車等交通工具,與其說追求汽車的多功能和花哨,我們所依賴的更多功能現(xiàn)在被考慮為安全至上,這意味著它們必須滿足更高的要求。集成電路處于惡劣的環(huán)境中,不叫不容易把握,最常見的可能也是汽車。在汽車行業(yè),常需設(shè)計能承受溫度達(dá)+125°C的電子控制單元以實現(xiàn)安全至上的特性,對于滿足這一要求的器件,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是AECQ-100汽車1級,其中1級指該器件已經(jīng)過在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運行的測試?! ∵@很重要,因為器件的數(shù)據(jù)表通常將說明在+25℃的環(huán)境溫度下的性能,并顯示
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eeprom介紹
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲器)是可用戶更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。 [ 查看詳細(xì) ]
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