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破解電動(dòng)汽車充電難題，這款SiC功率模塊有絕招

EliteSiC功率集成模塊如何賦能電動(dòng)汽車充電設(shè)施？安森美電源解決方案事業(yè)部，工業(yè)電源部，副總裁兼總經(jīng)理Sravan Vanaparthy從產(chǎn)品性能、設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)、核心應(yīng)用等角度展開(kāi)了深入講解。EliteSiC功率集成模塊系列有什么亮點(diǎn)？安森美最新推出了用于電動(dòng)汽車充電站的最新EliteSiC 功率集成模塊系列，其中集成了最新一代碳化硅MOSFET "M3S"。該系列提供了九種不同的模塊選項(xiàng)，具有不同的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、封裝尺寸和配置，以滿足不同的終端市場(chǎng)需求。產(chǎn)品的多樣性是
關(guān)鍵字： EliteSiC 仿真工具電路仿真充電站

不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。對(duì)于電動(dòng)汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠(yuǎn)的續(xù)航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車和可再生能源領(lǐng)域，對(duì)更高效率的不懈追求正推動(dòng)著設(shè)計(jì)向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當(dāng)電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì)減半，因而損耗會(huì)降到四分之一。根據(jù)這個(gè)原理，為了減
關(guān)鍵字：高電壓高電壓轉(zhuǎn)換器逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC

2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布與Kempower達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車（EV）充電樁。雙方此項(xiàng)合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù)，開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。安森美為Kempower 的Satellit
關(guān)鍵字：安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動(dòng)汽車快充

全新產(chǎn)品系列包括快速開(kāi)關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領(lǐng)先行業(yè)的每開(kāi)關(guān)超低導(dǎo)通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開(kāi)關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來(lái)越多的800 V電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動(dòng)汽車直流快充、
關(guān)鍵字：安森美 EliteSiC M3S

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
關(guān)鍵字：貿(mào)澤安森美 EliteSiC 碳化硅

2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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