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格芯技術(shù)大會攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位

近日，格芯2017技術(shù)大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導體行業(yè)領(lǐng)導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業(yè)務、市場推進方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計實現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會，本次大會格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡和汽車解決方案智能應用，F(xiàn)DX?、Fi
關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程

局部應變技術(shù)可望提高FDSOI性能

　　法國研究機構(gòu)CEA-Leti宣布開發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術(shù)，可望用于實現(xiàn)更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路?！　∫夥ò雽w(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達到世界級能效的方法，而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本。　　晶格上的應變通常用于增加傳統(tǒng)平面CMOS與FinFET CMOS的行動性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
關(guān)鍵字： FDSOI

法機構(gòu)將于明年9月啟動基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃

　　法國兩家半導體研究機構(gòu)CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次多項目晶片研究計劃是由歐洲一個專門研究SOI技術(shù)的學術(shù)團體EuroSOI+負責參與支持的。　　所謂的多項目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設(shè)計的IC芯片，這樣可以為多家廠商或研究機構(gòu)的IC設(shè)計驗證節(jié)約成本，非常適用于
關(guān)鍵字： FDSOI 20nm

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　　FDSOI技術(shù)即全耗盡型SOI技術(shù)，有些文獻上也寫成ETSOI即超薄型SOI，具有非常強的競爭力，適合20nm及更高級別制程的移動/消費電子產(chǎn)品使用。　　FD-SOI是下一代晶體管結(jié)構(gòu)的熱門技術(shù)之一。目前制造晶體管的主流技術(shù)是采用體硅技術(shù)制作的32/28nm制程平面型晶體管?！　MD，IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術(shù)的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)品。相比之下，In [ 查看詳細 ]

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局部應變技術(shù)可望提高FDSOI性能

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