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飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
  • 關鍵字： Farichild  MOSFET  FDZ197PZ  ESD  
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fdz197pz介紹

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