- 問題沒有專門用于驅動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅動，如果使用原本用于驅動硅(Si) MOSFET的驅動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅動。簡介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損
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DC-DC控制器 GaNFET ADI
- 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅動器，而新的GaN驅動器和內置GaN驅動器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡單的專用GaNFET驅動器（如 LT8418)外，市場上還存在針對GaN的復雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
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ADI GaNFET DC-DC
- GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產品性能的退化機制很重要。
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GaNFET 硅FET
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