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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動GaN器件的柵極驅(qū)動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設備的需求日益增長，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外，不僅在自動駕駛領(lǐng)域，在工業(yè)設備和社會基礎(chǔ)設施監(jiān)控等領(lǐng)域應用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。在這類應用中，必須使用高速開關(guān)器件，因此，ROHM在推出支持高速開關(guān)的GaN器件的同時，還
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ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術(shù)

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅(qū)動控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術(shù)應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實現(xiàn)出色的高頻工作性能

  • 1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場機會？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開關(guān)特性出色，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域中，作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實現(xiàn)出色的高頻工作性能。具體在汽車行業(yè)可應用于車載OBC、48 VDC/DC 轉(zhuǎn)換器（如圖3）。2? &nb
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ABI Research：2019年微波射頻市場規(guī)模超3億

  • 　　市場研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開銷將持續(xù)增長。ABI Research預計，微波射頻半導體市場規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。點到點通信、衛(wèi)星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫(yī)療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。 　　“當砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時候，GaN器件將促進增長。”ABI研究公司市場調(diào)研總監(jiān)L
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GaN器件和AMO技術(shù)推動實現(xiàn)高效率和寬帶寬

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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大功率LED材料迎來新成員

  • 　　超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之一，并在射頻領(lǐng)域中受寵，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出針對這些市場的GaN產(chǎn)品。另外包括IR、ST、富士通、松下，以及新晉的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市場。
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