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意法半導體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

  • 　　意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。 　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
  • 關鍵字： 意法半導體  IGBT  H系列  
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