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一款高三階交調(diào)點的GaAs射頻放大器

  • 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點的射頻放大器的設(shè)計。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結(jié)構(gòu)進行設(shè)計。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，添加了偏置結(jié)構(gòu)，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度，提高了三階交調(diào)點指標(biāo)；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調(diào)點達到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號處理系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 202306  射頻放大器  GaAs HBT  三階交調(diào)點  高線性度  

一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率 放大器

  • 摘要：針對WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問題。測試結(jié)果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi)，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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10W高線性802.11n功率放大芯片設(shè)計

  • 本文介紹了一款用于無線局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術(shù)，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結(jié)構(gòu)，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內(nèi)部設(shè)計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內(nèi)ESD保護電路，方便用戶安全使用。
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  802.11n  GaAs HBT  熱分流  201604  

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

  • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計

  • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術(shù)的迅速...
  • 關(guān)鍵字： SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計

  • 本文設(shè)計了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中，由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調(diào)諧性。
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Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊

  • 　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動放大器使用，這些面向移動通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
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砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 　　一直
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Ge組分對SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響

  • 0 引言 　　SiGe基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來，SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應(yīng)等性能已經(jīng)接近或達到了化合物異質(zhì)結(jié)器件的水平。而SiGe異質(zhì)結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復(fù)雜性，且成本低于化合物半導(dǎo)體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
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移動終端中三類射頻電路的演進方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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