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一款高三階交調點的GaAs射頻放大器

  • 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度，提高了三階交調點指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調點達到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號處理系統(tǒng)。
  • 關鍵字： 202306  射頻放大器  GaAs HBT  三階交調點  高線性度  

一款應用于Wi-Fi?6E設備的GaAs?HBT功率 放大器

  • 摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點變化及自熱效應引起增益及線性度惡化的問題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
  • 關鍵字： 202206  功率放大器  WIFI 6E  GaAs HBT  

10W高線性802.11n功率放大芯片設計

  • 本文介紹了一款用于無線局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內ESD保護電路，方便用戶安全使用。
  • 關鍵字： 功率放大器  802.11n  GaAs HBT  熱分流  201604  

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面晶體管

  • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
  • 關鍵字： 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

基于SiGe HBT的射頻有源電感設計

  • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術的迅速...
  • 關鍵字： SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設計

  • 本文設計了四種結構的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調諧性。
  • 關鍵字： 電感  設計  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  

Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊

  • 　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動放大器使用，這些面向移動通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機頂盒等各種其他無線通信應
  • 關鍵字： Avago  放大器  晶體管  HBT  

砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。 　　一直
  • 關鍵字： GaAs  外延襯底  FET  HBT  

Ge組分對SiGe HBT主要電學特性的影響

  • 0 引言 　　SiGe基區(qū)異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來，SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應等性能已經(jīng)接近或達到了化合物異質結器件的水平。而SiGe異質結技術和傳統(tǒng)的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
  • 關鍵字： HBT  

移動終端中三類射頻電路的演進方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  
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