首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> hexfet

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： IR  HEXFET MOSFET  

IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。 　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價格。 　　IR
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  HEXFET   

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應(yīng)用提供
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  HEXFET  

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應(yīng)用提供
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  HEXFET  

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。 　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  HEXFET  

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： InternationalRectifier  HEXFET  MOSFET  
共6條 1/1 1

hexfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hexfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hexfet的理解，并與今后在此搜索hexfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

HEXFET    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473