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imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
  • 關鍵字： imec  High-NA  EUV  DRAM  

價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
  • 關鍵字： Intel  High NA EUV  光刻機  晶圓  8納米  

ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月，預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
  • 關鍵字： ASML  High-NA  英特爾  光刻機  

臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？

  • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機  

High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機

  • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
  • 關鍵字： High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體  

High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？

  • 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
  • 關鍵字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術

  • 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
  • 關鍵字： ASM  NXE:3800E EUV  光刻機  High-NA  

英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
  • 關鍵字： 英特爾  High-NA EUV  臺積電  

SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
  • 關鍵字： SK海力士  High-k  Metal Gate  

拆解報告：MOVE SPEED移速20W小精靈快充

  • 　　MOVE SPEED移速近期推出了一款20W PD快充迷你充電器，型號為YSFCP101-20W，還為其取了個很好聽的名字——小精靈。這款產品支持QC、PD以及PPS等快充協(xié)議，可以滿足iPhone 12手機全速快充需求，對其它品牌安卓機也有很好的兼容性，下面充電頭網就對其進行拆解，看看用料做工如何。一、移速20W小精靈快充外觀　　包裝盒藍白配色，正面印有品牌、充電器外觀圖、名稱以及20W、CCC認證標識等?！　”趁嬗∮猩碳倚畔?。　　側面印有充電器參數。　　另一側面印有產品四大特性標識?！　“b內含充
  • 關鍵字： MOVE SPEED  快充  拆解    

基于LEON3處理器和Speed協(xié)處理器的復雜SoC設計實現

  • 　　前言 　　隨著科技的發(fā)展，信號處理系統(tǒng)不僅要求多功能、高性能，而且要求信號處理系統(tǒng)的開發(fā)、生產周期短，可編程式專用處理器無疑是實現此目的的最好途徑?？删幊虒Ｓ锰幚砥骺煞譃樗神詈鲜?協(xié)處理器方式，即MCU+協(xié)處理器)和緊耦合式(專用指令方式，即ASIP)，前者較后者易于實現，應用較廣。本文就是介紹一款松耦合式可編程專用復雜SoC設計實現，選用LEON3處理器作為MCU，Speed處理器作為Coprocessor。 　　LEON3及Speed 　　LEON3是由歐洲航天總局旗下的Gaisler Re
  • 關鍵字： LEON3  Speed  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關鍵字： 制作  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關鍵字： 制作方法  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設計套件

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： 安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅  
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