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蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導體激光器方面取得重要進展
- 硅是半導體行業(yè)最常見的材料,基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中,從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛(wèi)星等。隨著技術的發(fā)展,研究者發(fā)現通過傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來進行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統(tǒng)的要求。為解決這一問題,“光”被認為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介,可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數據通信。但是,硅作為間接帶隙材料,發(fā)光效率極低,難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料,生長或者鍵
- 關鍵字: InGaN 激光器
蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導體激光器方面取得重要進展
- 硅是半導體行業(yè)最常見的材料,基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中,從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛(wèi)星等。隨著技術的發(fā)展,研究者發(fā)現通過傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來進行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統(tǒng)的要求。為解決這一問題,“光”被認為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介,可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數據通信。但是,硅作為間接帶隙材料,發(fā)光效率極低,難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料,生長或者鍵
- 關鍵字: 激光器 InGaN
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