首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> inp

SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ,功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括:開幕演講,化合物半導(dǎo)體與光電及通訊,寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨,怎么能
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  InP  

2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設(shè)計(jì)

  • 對In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ),結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成,并對讀出電路的時序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲能力為5×107個,功耗小,噪聲低,設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。
  • 關(guān)鍵字: InGaAs  APD  InP  低噪聲    
共2條 1/1 1

inp介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條inp!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對inp的理解,并與今后在此搜索inp的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

LINPO-PS    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473