首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> inp

SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  InP  

2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)

  • 對(duì)In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè)，功耗小，噪聲低，設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。
  • 關(guān)鍵字： InGaAs  APD  InP  低噪聲    
共2條 1/1 1

inp介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條inp!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)inp的理解，并與今后在此搜索inp的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

LINPO-PS    樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473