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如何處理高 di/dt 負(fù)載瞬態(tài)（上）

電源設(shè)計小貼士42：可替代集成 MOSFET 的分立器件

  • 　　在電源設(shè)計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導(dǎo)體廠商（包括 TI 在內(nèi)）擁有現(xiàn)成的 MOSFE
  • 關(guān)鍵字： 電源  設(shè)計  半導(dǎo)體  模擬  Robert  Kollman  TI  德州儀器  管理  
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