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傳三星正積極研究Gate-last工藝

  • 　　據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計(jì)劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認(rèn)為三星很可能只在28/32nm制程 中才會(huì)采用gate-first工藝，而在22nm制程則會(huì)轉(zhuǎn)向采用gate-last工藝。于此同時(shí)，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉(zhuǎn)向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評(píng)論。
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臺(tái)積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

  • 　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們?cè)谑Y尚義的介紹中，了解臺(tái)積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現(xiàn)計(jì)劃。 　　Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
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臺(tái)積電28納米明年1Q試產(chǎn)　迎擊IBM陣營

  • 　　臺(tái)積電28納米制程再邁大步，預(yù)計(jì)最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻(xiàn)營收，臺(tái)積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對(duì)手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。 　　臺(tái)積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
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行政院計(jì)畫興建第二通道 與中華電信抗衡

  • 為有效??解我國最後一哩（last mile）的困境，行政院提出「寬頻管道建置計(jì)畫」，也就是投入370億元，在全國建置6,000公里的第二共同管道寬頻網(wǎng)路環(huán)境，和中華電信相抗衡，以協(xié)助其它固網(wǎng)及二類電信業(yè)者，能獲得更公平的競爭機(jī)會(huì)
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