ler 文章 進(jìn)入ler技術(shù)社區(qū)

線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能

• l  介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度(LER)，該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點(diǎn)上對金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。除此之外，線邊緣粗糙度也是影響電子表面散射和金屬線電阻率
• 關(guān)鍵字： 線邊緣粗糙度  LER  先進(jìn)節(jié)點(diǎn)  半導(dǎo)體的性能