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CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

  • 　　目前，現(xiàn)有的CMOS半導體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計算時代中，CMOS工藝很有可能被新技術取代?！　〗眨⑻貭柭?lián)合加州大學伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質制造的設備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運行速度也是CMOS工藝的5倍。　　這項技術是英特爾、加州大學伯克利分校合作的，論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上，它所用的MESO是一種鉍，鐵和氧(BiFeO3)組成的
  • 關鍵字： CMOS，MESO  

關于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設計的分析

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