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P溝道功率MOSFETs及其應用

  • Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動，具有設計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率M
  • 關鍵字： Littelfuse  P溝道功率  MOSFETs  

安世東莞廠全面擴產(chǎn) 中資半導體引領未來

  • Nexperia(安世半導體)3月初宣布安世半導體(中國)有限公司著力擴建的廣東新分立器件封裝和測試工廠正式投產(chǎn)，全廠總面積達到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產(chǎn)面積，年產(chǎn)量達到900 億件;根據(jù)產(chǎn)品組合，實現(xiàn)增長約50%，有力地支持了今后數(shù)年Nexperia 雄心勃勃的業(yè)務發(fā)展計劃。廣東新工廠的投產(chǎn)，使Nexperia 全年總產(chǎn)量超過1 千億件。本次新工廠投產(chǎn)的最大推動力源于2016年中國的建廣資產(chǎn)以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標準件業(yè)務，并以此為基礎組建了全新的Nexperia(
  • 關鍵字： Nexperia  分立器件  MOSFETs  邏輯器件  

意法半導體（ST）新功率MOSFET實現(xiàn)近乎完美的開關性能

  • 　　市場人氣頗高的意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。 　　新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導體經(jīng)過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴散工
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFETs  

全球半導體技術發(fā)展路線圖

  • 　　一、半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境 　　半導體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅(qū)動：一是為計算機行業(yè)提供更符合成本效益的存儲器;二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。 　　到了80年代，系統(tǒng)規(guī)范牢牢地掌握在系統(tǒng)集成商手中。存儲器件每3年更新一次半導體技術，并隨即被邏輯器件制造商采用。 　　在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進新技術，以每2年一代的速度更新，緊跟在內(nèi)存廠商之后。技術進步和產(chǎn)品性能增強之間不尋常的強相關性，使得相當一部分系統(tǒng)性能和利潤的控制
  • 關鍵字： 半導體技術  MOSFETs  

全球半導體技術發(fā)展路線圖解析

  • 　　一、半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境 　　半導體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅(qū)動：一是為計算機行業(yè)提供更符合成本效益的存儲器;二是為滿足企業(yè)開發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。 　　到了80年代，系統(tǒng)規(guī)范牢牢地掌握在系統(tǒng)集成商手中。存儲器件每3年更新一次半導體技術，并隨即被邏輯器件制造商采用。 　　在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進新技術，以每2年一代的速度更新，緊跟在內(nèi)存廠商之后。技術進步和產(chǎn)品性能增強之間不尋常的強相關性，使得相當一部分系統(tǒng)性能和利潤的控制
  • 關鍵字： 半導體  MOSFETs  

MSL2164:16串LED驅(qū)動器應用案例精講

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： MSL2164  MSL2166  PWM  MOSFETs  LED驅(qū)動  

疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設計與研究

  • 摘要：通過分析設計，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應的作用。模擬軟件MEDICI仿真結(jié)果驗證了理論分析的預言，從而表明該結(jié)構(gòu)可用作射
  • 關鍵字： 研究  結(jié)構(gòu)設計  MOSFETs  疊柵  
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