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英特爾與美光以創(chuàng)新鞏固N(yùn)AND閃存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位

  • 　　英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元(MLC)NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方在NAND制程工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　　單片容量達(dá)128Gb的全新20納米制程N(yùn)AND設(shè)備是由英特爾與美光的合資企業(yè)——IM Flash Technologies(IMFT)開發(fā)而成，它也是業(yè)內(nèi)首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實(shí)現(xiàn)1Tb數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的N
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nand閃存技術(shù)介紹

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