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基于Navitas NV6252+TI UCC28780 的TPYE C PD充電器方案

此設(shè)計(jì)為30W 小型化壁式Type C PD 充電器，使用TI UCC28780 搭配N(xiāo)avitas NV6252來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化需求，UCC28780是一款高頻有源箝位反激式控制器(ACF)，工作頻率可達(dá)1MHz，可操作在零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）且能在寬電壓工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，具有先進(jìn)的自動(dòng)調(diào)諧技術(shù)，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間優(yōu)化和可變開(kāi)關(guān)頻率控制律。使用自適應(yīng)多?？刂瓶筛鶕?jù)輸入和輸出條件改變操作，可在降低可聽(tīng)噪聲的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率。NV6252為Navitas推出的一款非對(duì)稱(chēng)半橋GanFet適用于ACF架構(gòu)，內(nèi)含Gate dr
關(guān)鍵字： Navitas NV6252 TI UCC28780 PD充電器

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計(jì)用來(lái)提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)切換，設(shè)備可能會(huì)出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
關(guān)鍵字： NAVITAS NV6115 NV6117 GAN

　　納微(Navitas)宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松滑入口袋，其中結(jié)合了GaN功率IC技術(shù)與新型USB-PD電源輸送協(xié)議和先進(jìn)的Type C連接器，可以為筆記本電腦充電，或者為任何智能手機(jī)快速充電?！　⌒滦透咚俚?GaN)功率IC的性能比舊式硅(Si)芯片的好20倍以上。通過(guò)高頻工作并同時(shí)提高效率，GaNFast功率IC可減小變壓器、散熱片和印刷電路板等組件的尺寸、重量和成本?！?/li>
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