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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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臺(tái)二線封測(cè)廠營運(yùn)展望漸入佳境車用電子NORFlash需求熱絡(luò)

  • 　　2017年臺(tái)系半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)營運(yùn)逐季升溫趨勢(shì)，封測(cè)業(yè)者表示，在最大宗的移動(dòng)通訊應(yīng)用領(lǐng)域，由于iPhone新品姍姍來遲，加上臺(tái)系IC設(shè)計(jì)大廠聯(lián)發(fā)科等調(diào)整戰(zhàn)略，以及整合面板觸控IC(TDDIIC)等新品第4季量能才大增，能夠守穩(wěn)功率元件如MOSFET、PMIC、車用MCU、NORFlash、DRAM、MEMS傳感器、CMOS傳感器的二線封測(cè)廠如欣銓、捷敏、華東、矽格、逸昌、菱生等，營運(yùn)表現(xiàn)相對(duì)于一線業(yè)者更為突出，而臺(tái)積電旗下精材、鴻海旗下訊芯，則是市場(chǎng)看好未來營運(yùn)具有轉(zhuǎn)機(jī)的潛力業(yè)者。 　　半導(dǎo)體業(yè)者
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大容量存儲(chǔ)的NOR FLASH的原理及應(yīng)用

  • VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時(shí)給出了一個(gè)系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計(jì)方案。
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NORFlash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)方法研究

  • 引 言 Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM ...
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NandFlash系列之一：NorFlash與NandFlash對(duì)比

  • 　　FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，主要有兩種：NorFlash和NandFlash，下面我們從多個(gè)角度來對(duì)比介紹一下。在實(shí)際開發(fā)中，設(shè) ...
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大容量NORFlash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

  • 引 言Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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在WinCE下，應(yīng)用程序直接讀/寫/擦除flash設(shè)備的方法

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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共8條 1/1 1

norflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細(xì) ]

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