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是誰在拉動嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場擴(kuò)張？

  • 近年來，受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機(jī)構(gòu)的分析師都預(yù)測了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個2022年，甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析，2022年全球存儲器件市場的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元，較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預(yù)測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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Dialog宣布其FusionHD? NOR閃存兼容并已在SmartBond?低功耗藍(lán)牙無線MCU平臺上認(rèn)證

  • 領(lǐng)先的電池管理、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙（BLE）、工業(yè)IC供應(yīng)商 Dialog半導(dǎo)體公司 近日宣布，其收購Adesto Technologies后新增的產(chǎn)品FusionHD? NOR閃存完全兼容并可與Dialog的SmartBond? DA1469x低功耗藍(lán)牙（BLE）微控制器（MCU）搭配使用。采用該組合解決方案，客戶將能在廣泛的工業(yè)和聯(lián)網(wǎng)消費類應(yīng)用中部署最新的低功耗藍(lán)牙技術(shù)，同時將功耗控制在極低水平。Dialog半導(dǎo)體公司工業(yè)事業(yè)部副總裁Raphael Mehr
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Dialog宣布其EcoXiP? Octal xSPI閃存兼容瑞薩高性能RZ/A2M微處理器

  • 領(lǐng)先的電源管理、充電、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙（BLE）技術(shù)供應(yīng)商 Dialog半導(dǎo)體公司 今天宣布，其收購Adesto Technologies后新增的產(chǎn)品EcoXiP? octal xSPI非易失性存儲器（NVM）已經(jīng)過優(yōu)化，將與瑞薩電子基于Arm?的 RZ/A2M 微處理器（MPU）搭配使用。RZ/A2M是專為智能家電、服務(wù)機(jī)器人、工業(yè)機(jī)器等應(yīng)用中的嵌入式AI高速圖像處理而設(shè)計，業(yè)內(nèi)功耗最低的octal xSPI NOR閃存器件EcoXiP將
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東芝與MikroElektronika展開合作，為電機(jī)驅(qū)動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機(jī)驅(qū)動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設(shè)計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機(jī)驅(qū)動IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機(jī)驅(qū)動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機(jī)控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機(jī)、直流無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，東芝提供豐富的電機(jī)驅(qū)動
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Dialog推出首款針對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的高壓GreenPAK? IC

  • 高度集成電池管理、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙（BLE）和工業(yè)IC供應(yīng)商 近日宣布，推出其首款電機(jī)驅(qū)動可配置混合信號IC（CMIC）SLG47105，該器件同時提供了可配置邏輯和可配置模擬的獨特優(yōu)勢，具有高電壓輸出，采用小型2 x 3 mm QFN封裝。SLG47105是被廣泛采用的Dialog GreenPAK產(chǎn)品系列的最新成員。該器件為設(shè)計工程師提供了更經(jīng)濟(jì)有效的一次非易失性存儲器（NVM）可編程選項，有助于其在設(shè)計消費和工業(yè)電機(jī)應(yīng)用時，同時集成數(shù)字和模擬系統(tǒng)功能，并大幅地減少外部元件的
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KilopassAnti-Fuse NVM OTP IP被瀾起科技采用，以瞄準(zhǔn)新興市場環(huán)境之新一代機(jī)頂盒芯片

  • 　　半導(dǎo)體邏輯反熔絲(anti-fuse)非易失性存儲器(NVM)一次性可編程(OTP)知識產(chǎn)權(quán)(IP)的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc.今天宣布其高容量NVMOTP已被設(shè)計入瀾起科技(Montage Technology Group Limited)瞄準(zhǔn)具有挑戰(zhàn)性運營條件的新興市場環(huán)境之新一代機(jī)頂盒芯片。Kilopass的反熔絲(anti-fuse)非易失性存儲器(NVM)一次性可編程(OTP)知識產(chǎn)權(quán)(IP)提供了HDMI和條
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嵌入式NVM與電源管理

  • 嵌入式NVM與電源管理,轉(zhuǎn)向更為邏輯的NVM

    盡管當(dāng)今的設(shè)計工程師可以選擇多種NVM，但是，具有低成本、高性能和應(yīng)用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應(yīng)用目標(biāo)，排除了許多選擇的可能性。例如，盡管傳統(tǒng)的激光熔絲可能適合于單一數(shù)字位
  • 關(guān)鍵字： 管理  電源  NVM  嵌入式  

Kilopass把單次可編程型NVM專利授權(quán)給中芯國際

  • 　　非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布，將把自己一項有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權(quán)給中芯國際使用，中芯國際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項專利技術(shù)的NVM存儲芯片?！　?/li>
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嵌入式NVM在電源管理中的應(yīng)用

  • 嵌入式NVM在電源管理中的應(yīng)用,轉(zhuǎn)向更為邏輯的NVM

    盡管當(dāng)今的設(shè)計工程師可以選擇多種NVM，但是，具有低成本、高性能和應(yīng)用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應(yīng)用目標(biāo)，排除了許多選擇的可能性。例如，盡管傳統(tǒng)的激光熔絲可能適合于單一數(shù)字位
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KILOPASS推出適用于尖端SOC芯片的嵌入式邏輯非易失性內(nèi)存IP

  • 　　業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體邏輯非易失性內(nèi)存(NVM)知識產(chǎn)權(quán)模塊(IP)的供應(yīng)商，Kilopass 科技公司，今天發(fā)布了業(yè)界第一也是迄今唯一一個4兆比特的非易失性內(nèi)存半導(dǎo)體IP--Gusto。Gusto是唯一足以儲存?zhèn)鹘y(tǒng)上被存儲在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應(yīng)用，包括移動應(yīng)用處理器和多媒體處理器，以及高安全性應(yīng)用如移動銀行和有條件接收，它都是理想的選擇。Kilopass已經(jīng)在三個頂級代工廠——IBM，TSMC和U
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非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制

  • 　　非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機(jī)訪存速度更快。 　　經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機(jī)制和材料。 　　目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機(jī)制，相變存儲器(PC
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中芯國際采用Virage Logic公司AEON嵌入式 MTP NVM

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)界值得信賴的 IP 合作伙伴 Virage Logic 公司和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)今日宣布了一項多次可編程 (MTP) 的非易失性存儲器 (NVM) 解決方案的射頻識別 (RFID) 優(yōu)化版本。該優(yōu)化射頻識別 (RFID) NVM解決方案，適用于無源電子標(biāo)簽，正在中芯國際180納米 (nm) 低漏電 (LL) 工藝技術(shù)中開發(fā)，能夠提供高性能射頻。 　　Virage Logic 公司的 AEON/MTP RFID 是基于標(biāo)準(zhǔn)的單柵邏輯 CMOS
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嵌入式NVM提高電源管理的靈活性

  • 嵌入式NVM提高電源管理的靈活性,熱門電子市場都有一個共同特點(例如RF、顯示驅(qū)動、安全媒體和電源管理)：它們都在極短的市場窗口內(nèi)運作，并競相推出各種增值的差異化產(chǎn)品來點燃實際的增長。但是，它們也共享其它重要的屬性：具有許多應(yīng)用、更具有成本效益或通過集成小計數(shù)位(small bit-count)多次編程非易失性存儲器(NVM)而提高了性能。此外，嵌入式NVM對提高可制造性、縮短上市時間及提高產(chǎn)品質(zhì)量有所貢獻(xiàn)。很顯然，嵌入式NVM是這些競爭異常激烈的市場的主要競賽贏家。電源管理也不例外，但是，正如我們所看到
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華虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技術(shù)授權(quán)

  • 　　上海，中國—圣何塞，加利福尼亞，3月24日，2008—賽普拉斯半導(dǎo)體公司（紐交所代碼：CY）和上海華虹NEC電子有限公司（華虹NEC）今天共同宣布， Cypress的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲器（NVM）技術(shù)已經(jīng)在華虹NEC獲得成功驗證。始于2006年12月的技術(shù)授權(quán)項目已經(jīng)順利完成。 　　與Cypress歷經(jīng)14個月的默契協(xié)作，華虹NEC完成了所有的新設(shè)備安裝、工藝轉(zhuǎn)移以及閃存模塊IP的設(shè)計，達(dá)到了對于Cypress相對較高的成品率，并且都通過了工藝驗證。Cypress
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鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機(jī)模擬

  • 　　鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的優(yōu)點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。 　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實驗數(shù)據(jù)、依據(jù)實驗數(shù)據(jù)得到的
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