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NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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除了二極管，防反接電路還能用什么？

二極管串聯(lián)以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯(lián)在電路中，在電源反接時(shí)，二極管承擔(dān)所有的電壓，有效防止電源反接損壞后級(jí)設(shè)備。但是，二極管上壓降較大，損耗較高。使用肖特基二極管可以減小損耗，但是仍對(duì)電路有較大影響，特別是在電源電壓更低的情況下。反并二極管+保險(xiǎn)絲使用反并二極管+保險(xiǎn)絲，正常運(yùn)行時(shí)基本沒(méi)有損耗。在電源反接時(shí)，電源側(cè)接近短路，保險(xiǎn)絲熔斷，從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。反接發(fā)生后，二極管和保險(xiǎn)絲一般都需要更換。并且，輸入反接時(shí)產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓，后級(jí)設(shè)備還是有可能損壞。PMOS防反接電路基本電路基本的PMOS防反接電路
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設(shè)計(jì)超低功耗的嵌入式應(yīng)用：簡(jiǎn)化電源域

　　不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見(jiàn)本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。　　 ? 　　圖3：手表的高層次方框圖　　一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個(gè)子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。　　顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動(dòng)和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對(duì)顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái)，在固定時(shí)間T1后，背光會(huì)降
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

前面我說(shuō)過(guò)，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

上一帖我們說(shuō)到了IC的性能取決于R與C的乘積?？吹搅粞院笪野l(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個(gè)遺漏的事實(shí)：當(dāng)器件的尺寸變得越來(lái)越小，連線在IC中越來(lái)越成為一個(gè)瓶頸。這是由于一個(gè)非常簡(jiǎn)單的原因：連線相對(duì)于器件的尺寸來(lái)說(shuō)越來(lái)越長(zhǎng)了。
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用PMOS塊制作的電子打擊樂(lè)器電路及原理

這里介紹一種用PMOS集成電路構(gòu)成的電子打擊樂(lè)器。它可以產(chǎn)生板、鼓、叉等八種打擊樂(lè)的音響效果。如與時(shí)序脈沖電路配合，可以組成電子琴中的自動(dòng)打擊樂(lè)伴奏電路。由于采用了集成電路，結(jié)標(biāo)簡(jiǎn)單，使用元件少，用6伏電源
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CMOS工藝PMOS壓控變?nèi)萏匦匝芯?/a>

1.2 PMOS的變?nèi)莨苓B接及其壓控特性分析　　圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...

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手機(jī)充電電路主流方案解析

雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多，但其充電回路大致相同，都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時(shí)易于以較低電...
關(guān)鍵字：手機(jī)充電器 PMOS 三極管

PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì)

首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
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PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖

首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
關(guān)鍵字： PMOS 開(kāi)關(guān)管 MOSFET 二極管

集成PMOS管變?nèi)萏匦苑治雠c仿真建模

摘要：為適應(yīng)PMOS變?nèi)莨茉诩呻娐吩O(shè)計(jì)中的晶體管級(jí)仿真，在分析MOS變?nèi)莨芴匦缘幕A(chǔ)上，通過(guò)確定關(guān)鍵點(diǎn)、以曲線擬合的方法建立與工藝參數(shù)相關(guān)的PMOS集成變?nèi)莨芨哳l特性模型。選用Charted 0．35mu;m這個(gè)特定的工藝庫(kù)
關(guān)鍵字：仿真建模分析特性 PMOS 管變?nèi)?/a> 集成

手機(jī)充電管理設(shè)計(jì)要點(diǎn)及主流方案解析

雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多，但其充電回路大致相同，都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時(shí)易于以較低電壓控...
關(guān)鍵字：手機(jī)充電管理主流方案 PMOS

用PMOS塊制作的電子打擊樂(lè)器電路圖

這里介紹一種用PMOS集成電路構(gòu)成的電子打擊樂(lè)器。它可以產(chǎn)生板、鼓、叉等八種打擊樂(lè)的音響效果。如與時(shí)序脈沖電路配合，可以組成電子琴中的自動(dòng)打擊樂(lè)伴奏電路。由于采用了集成電路，結(jié)標(biāo)簡(jiǎn)單，使用元件少，用6伏電源
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OLED顯示器及其饋電技術(shù)

　　有機(jī)LED圖形顯示器正在圖像質(zhì)量和低功耗兩個(gè)方面與LCD進(jìn)行較量　　要點(diǎn) • OLED（有機(jī)發(fā)光二極管）顯示器與LCD相比，雖然成本較高，但功耗卻很低。 • 隨著OLED制造工藝的成熟和產(chǎn)量的攀升，功率轉(zhuǎn)換器制造商正在開(kāi)始制造用于OLED顯示器的IC。 • 不可以不變應(yīng)萬(wàn)變：根據(jù)OLED顯示器類型的不同，所需的電源電壓和電流也隨之改變。在功率轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用系統(tǒng)清單上，“OLED”這個(gè)詞并不保證該器件適合
關(guān)鍵字： PMOS Maxim

1972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路研制成功

　　1972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。
關(guān)鍵字： LSI PMOS

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pmos介紹

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管　　全稱： positive channel Metal Oxide Semiconductor 　　別名： positive MOS 　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源 [ 查看詳細(xì) ]