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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。
  • 關(guān)鍵字： 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT  PowerMOSFET  ACPL-33xJ  

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
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