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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件設(shè)計所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應(yīng),過載,短路等條件所造成的損害。
- 關(guān)鍵字: 隔離驅(qū)動IGBT PowerMOSFET ACPL-33xJ
隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
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