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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關耐壓上限

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
關鍵字： 1250V PI PowiGaN GaN

PI將為本月下旬時候參加3,000公里普利司通世界太陽能車挑戰(zhàn)賽的aCentauri車隊提供先進的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術、專家設計支持和資金贊助。Power Integrations的Mr. Green將跟隨aCentauri車隊和其他37位參賽選手穿越澳大利亞內陸，見證太陽能車在效率、空氣動力學、速度和續(xù)航能力方面所能達到的創(chuàng)新極限。?Power Integrations市場營銷總監(jiān)Trevor Hiatt表示：“在研究了Power Integrations的大量參考設計后，aC
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