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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC，GaN的生成工藝相對(duì)成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開(kāi)關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應(yīng)用中
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PI將為本月下旬時(shí)候參加3,000公里普利司通世界太陽(yáng)能車挑戰(zhàn)賽的aCentauri車隊(duì)提供先進(jìn)的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)、專家設(shè)計(jì)支持和資金贊助。Power Integrations的Mr. Green將跟隨aCentauri車隊(duì)和其他37位參賽選手穿越澳大利亞內(nèi)陸，見(jiàn)證太陽(yáng)能車在效率、空氣動(dòng)力學(xué)、速度和續(xù)航能力方面所能達(dá)到的創(chuàng)新極限。?Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Trevor Hiatt表示：“在研究了Power Integrations的大量參考設(shè)計(jì)后，aC
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DER-937是一款采用高度集成的升壓PFC和氮化鎵反激式開(kāi)關(guān)IC設(shè)計(jì)的100W USB PD充電器，總共僅使用117個(gè)元件
關(guān)鍵字： PI 功率轉(zhuǎn)換 PowiGaN

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