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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準(zhǔn)
- 增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eGaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣,包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開(kāi)關(guān)和諧振式)和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機(jī)械人及無(wú)人機(jī)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: MOSFET QRR QG
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