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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器(CKD)和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)。憑借這些全新驅(qū)動器IC,瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊(DIMM)、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s,相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度,是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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瑞薩推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD
- 新的注冊時鐘驅(qū)動器和客戶端時鐘驅(qū)動器IC率先支持速度高達(dá)6400MT/s的DDR5服務(wù)器和客戶端DIMM模塊?2023 年 6 月 28 日,中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器(CKD)和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)。憑借這些全新驅(qū)動器IC,瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊(DIMM)、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 R
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認(rèn)識反激中的RCD吸收電路
- 反激式開關(guān)電源結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)用廣泛,但其變壓器漏感大,開關(guān)管存在電壓尖峰,在大部分低功率應(yīng)用場合都會采用簡單易實(shí)現(xiàn)的RCD鉗位電路來減緩電壓尖峰,這里將簡單介紹RCD電路的工作原理以及如何確定鉗位電路中的參數(shù)。 單端反激式開關(guān)電源具有結(jié)構(gòu)簡單,輸入輸出電氣隔離,輸入電壓范圍寬,易于實(shí)現(xiàn)多路輸出,可靠性高,成本低等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于中小功率場合。但由于反激變壓器漏感影響,其功率開關(guān)管在關(guān)斷時將引起電壓尖峰,必須用鉗位電路加以抑制,因此RCD鉗位電路以其簡潔易實(shí)現(xiàn)多用于小功率場合。圖 1和圖 2分別為反
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LED隔離輸出單級反激變換相控調(diào)光電路
- 采用Marvell?88EM8183的隔離輸出單級反激變換相控調(diào)光典型應(yīng)用電路工作原理圖如圖1所示。電路圖1中的電感L和電容C2起濾波作用,電阻R1和電容C1可以起部分無源泄放作用,適當(dāng)調(diào)節(jié)電阻R1和電容C1的參數(shù)可以確保前沿相控調(diào)光可控硅的可靠觸發(fā),電阻R3和電容C3、二極管VD3組成RCD吸收回路,防止功率開關(guān)管VT漏極上出現(xiàn)高尖峰電壓而損壞功率開關(guān)管VT。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻R2起電路過溫度保護(hù)功能,電阻RS起功率開關(guān)管VT的工作電流檢測功能,一旦電路出現(xiàn)負(fù)載短路或負(fù)載過電流故障,在電阻
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一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 當(dāng)MOSFET關(guān)斷時,就會有一個高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的,在漏極上過高的電壓可能會擊穿MOSFET,為此就必須增加一個附加電路來鉗制這個電壓。在此技術(shù)范圍,我們介紹反激變換器的RCD吸收回路。
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RCD箝位反激變換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要:論述了峰值電流控制RCD箝位反激變換器的原理,介紹了UC3843電流控制型脈寬調(diào)制器的各種設(shè)置,由UC3843構(gòu)成的逆變器輔助開關(guān)電源,具有電路簡單、易于多路輸出、過載與短路能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。關(guān)鍵詞:電流
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
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