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用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

• 隨著集成電路設(shè)計師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實用且經(jīng)濟的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多的認(rèn)可。此種封裝解決方案的主要優(yōu)勢在于其封裝的基片更少，熱阻更低，電氣性能也更優(yōu)秀。這是一個體現(xiàn)“超越摩爾定律”的例子，即使用 “摩爾定律”以外的技術(shù)也能實現(xiàn)更高的集成度和經(jīng)濟效益。圖1. 2.5D封裝中的中介層結(jié)構(gòu)異構(gòu)集成技術(shù)高密度扇出型封裝技術(shù)滿足了移動手機封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。
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