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EEPW首頁 >> 主題列表 >> rds(on)

如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！

  • SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙（WBG）半導體開關(guān)，如碳化硅共源共柵結(jié)構(gòu)FET（以下簡稱“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級的開關(guān)速度和較低的比導通電阻帶來非常低的損耗；在相同的芯片
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
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英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其 600V/650V 細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān) Steffen Metzge r表示，“這凸顯了
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Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動器在貿(mào)澤開售

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售?Maxim Integrated?的MAX22701E?隔離式柵極驅(qū)動器。MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品，屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI)，用于驅(qū)動各種逆變器或?電機控制?應用中的碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 晶體管。????
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安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

  • 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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車載信息娛樂系統(tǒng)、車載多媒體的16個經(jīng)典設(shè)計案例

  • 隨電子技術(shù)和智能終端設(shè)備的發(fā)展，作為其重要應用之一的汽車電子正呈現(xiàn)爆炸式的增長，其中車載信息娛樂系統(tǒng)和車載多媒體的設(shè)計向更注重用戶體驗的方向邁進，這里匯集16款經(jīng)典設(shè)計案例和大家分享車載信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計方面的最新技術(shù)動向。
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淺談RDS的功能設(shè)計及其在車載音響中的實現(xiàn)

  • 調(diào)頻廣播(FM)一直在人們的娛樂生活中占有非常重要的地位，廣大從事消費電子設(shè)計的廠商都在諸如MP3、智能手機、PDA等產(chǎn)品中嵌入FM部分。而RDS數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)(Radio Data System)正是利用調(diào)頻立體聲中的副載波，在傳輸音
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RDS廣播系統(tǒng)的設(shè)計和應用研究

  • 一、課題名稱及來源近年來，世界上出現(xiàn)了一些數(shù)據(jù)系統(tǒng)廣播電臺。在歐洲稱為RDS(Radio Data System)，即無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)。在美國稱為RBDS(Radio Broadcast Data System)，即無線電廣播數(shù)據(jù)。無線數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)，是指在
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銳德熱力與PB TEC合作推出保形涂覆解決方案

  • 銳德熱力攜手 鍍膜設(shè)備供應商PB TEC， 結(jié)合各自的專業(yè)優(yōu)勢，共同打造了一系列針對保形涂覆應用而設(shè)計的完整生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線揉合了 PB TEC 的 Eunil 鍍膜設(shè)備，和銳德熱力高效節(jié)能的 RDS 系列紅外烘干機。
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基于S1473X的RDS功能設(shè)計與實現(xiàn)

  • 基于S1473X的RDS功能設(shè)計與實現(xiàn),摘要：介紹了RDS功能在車栽音響系統(tǒng)中的應用與實現(xiàn)，并設(shè)計低功耗硬件電路以適應車載供電的要求。RDS功能采用S1473X嵌入式芯片實現(xiàn)，通過軟件編程實現(xiàn)了帶RDS的數(shù)字調(diào)頻立體收音功能，為車載音響系統(tǒng)提供調(diào)頻接收和R
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MOSFET基礎(chǔ)：理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫...
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
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意法半導體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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恩智浦半導體改善手機的FM RDS接收功能

  •  新型 IC具有更高的性能，更小的體積，更低的功耗和成本 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體），今天推出了一款新型芯片TEA5766。這款芯片可以使手機制造商在新產(chǎn)品中加入具有RDS功能的FM radio。RDS（無線數(shù)據(jù)系統(tǒng)）早在90年代初期開始就已經(jīng)成為歐洲汽車收音機的標準功能，它能為用戶提供包括電臺名稱、歌曲信息在內(nèi)的電臺節(jié)目相關(guān)信息，并可設(shè)置為自動調(diào)回交通和新聞節(jié)目的狀態(tài)。 TEA5766芯片的尺寸只有它前身TEA5764
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rds(on)介紹

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