rhom 文章 進(jìn)入rhom技術(shù)社區(qū)
工業(yè)領(lǐng)域的磁耦驅(qū)動(dòng)新技術(shù)
- 近兩年來,碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進(jìn)入應(yīng)用領(lǐng)域。SIC半導(dǎo)體具有寬禁帶,高擊穿電場(chǎng),高飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率的優(yōu)異特性正在推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域?qū)β试O(shè)備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開關(guān)頻率,從而降低功率設(shè)備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設(shè)備的體積減小到原來不可思議的地步。但是更高的頻率,更高的功率密度,要求周邊器件也能適應(yīng)更高的工作頻率,在更寬的溫度范圍以保證穩(wěn)定的工作狀態(tài)。ROHM在SIC發(fā)展最初階段提出了可應(yīng)用SIC產(chǎn)品使用的磁
- 關(guān)鍵字: RHOM 磁耦技術(shù) 隔離器
共2條 1/1 1 |
rhom介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條rhom!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rhom的理解,并與今后在此搜索rhom的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rhom的理解,并與今后在此搜索rhom的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473