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全球首款28nm嵌入式RRAM畫(huà)質(zhì)調(diào)節(jié)芯片正式量產(chǎn)

據(jù)北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內(nèi)嵌RRAM（阻變存儲(chǔ)器）畫(huà)質(zhì)調(diào)節(jié)芯片在京量產(chǎn)，并成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)頭部客戶(hù)的Mini LED高端系列電視中，標(biāo)志著我國(guó)顯示類(lèi)芯片達(dá)到新的半導(dǎo)體工藝高度。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，當(dāng)前全球半導(dǎo)體頂尖工藝已經(jīng)來(lái)到2nm時(shí)代，但對(duì)于半導(dǎo)體顯示來(lái)說(shuō)，綜合考慮成本問(wèn)題，28nm是目前國(guó)內(nèi)工藝的天花板。畫(huà)質(zhì)調(diào)節(jié)芯片要求集成各種補(bǔ)償算法，開(kāi)發(fā)難度高，制造要求先進(jìn)邏輯制程，是顯示芯片品類(lèi)國(guó)產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動(dòng)中國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
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新型存儲(chǔ)RRAM傳來(lái)新進(jìn)展！

近日，悅芯科技和?？莆⑦_(dá)成戰(zhàn)略合作，成功開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)首個(gè)基于睿科微RRAM IP的芯片量產(chǎn)測(cè)試方案，并已正式進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)介紹，悅芯科技的T800 SOC測(cè)試平臺(tái)具備的Memory Test Option功能，為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎(chǔ)上，悅芯科技將繼續(xù)支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn)，為客戶(hù)提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測(cè)試解決方案。悅芯科技的T800 SOC自動(dòng)測(cè)試設(shè)備以模塊化設(shè)計(jì)為主要特色，為不同類(lèi)別的IC器件提供針對(duì)性的測(cè)試模塊，實(shí)現(xiàn)在單一平臺(tái)上
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英飛凌攜手臺(tái)積電將RRAM技術(shù)引入至AURIX? TC4x汽車(chē)微控制器產(chǎn)品系列

【2022年12月7日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺(tái)積電近日宣布，兩家公司準(zhǔn)備將臺(tái)積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元（ECU）的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車(chē)所不可或缺的組成部分，被應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制、駕駛輔助和車(chē)身應(yīng)用中，助力汽車(chē)領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構(gòu)和
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臺(tái)積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車(chē)MCU

11月25日，英飛凌和臺(tái)積電宣布，兩家公司正準(zhǔn)備將臺(tái)積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。自第一個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前，市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲(chǔ)器的下一步，可以進(jìn)一步擴(kuò)展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴(kuò)展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能的最新趨勢(shì)相
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臺(tái)積電英飛凌強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，新型存儲(chǔ)RRAM發(fā)展如何？

存儲(chǔ)器的發(fā)展取決于應(yīng)用場(chǎng)景的變化，當(dāng)下智能化時(shí)代的迅速發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高的要求，新型存儲(chǔ)器迅速成長(zhǎng)。目前新型存儲(chǔ)器阻變存儲(chǔ)器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場(chǎng)重視。近日，英飛凌官方消息稱(chēng)，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。當(dāng)前，英飛凌基于臺(tái)積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已
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英飛凌汽車(chē)MCU，選擇RRAM

據(jù)英飛凌稱(chēng)，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。雖然基于臺(tái)積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶(hù)，但基于臺(tái)積電28納米R(shí)RAM技術(shù)的第一批樣品將于2023年底提供給客戶(hù)。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專(zhuān)為ADAS而設(shè)計(jì)，可提供新的E/E架構(gòu)和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的AI應(yīng)用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來(lái)，就被用作
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無(wú)法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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什么是FRAM?

FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱(chēng)為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。關(guān)于鐵電質(zhì)下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)。它們可以根據(jù)外部電場(chǎng)在兩個(gè)點(diǎn)之間移動(dòng)。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場(chǎng)，它也將不會(huì)再有任何移動(dòng)。頂部和底部的電極安排了一個(gè)電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以
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兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 技術(shù)簽署專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項(xiàng)RRAM技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲(chǔ)器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲(chǔ)解決方案。RRAM作為一種非
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

　　日前，一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來(lái)，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國(guó)計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專(zhuān)委會(huì)主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì)，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

　　日前，一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來(lái)，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國(guó)計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專(zhuān)委會(huì)主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì)，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

　　你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng),當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò),在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開(kāi)始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上接受與非網(wǎng)的采訪時(shí)說(shuō):&ldquo
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RRAM 或?qū)⒏膶?xiě)存儲(chǔ)器歷史—兼評(píng)國(guó)內(nèi)學(xué)者如何做出一流成果

　　導(dǎo)語(yǔ)：上世紀(jì)中葉單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功，為后來(lái)的科技進(jìn)步奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產(chǎn)業(yè)，才有了如今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現(xiàn)，或指明了未來(lái)存儲(chǔ)器的發(fā)展方向。　　三維(3D)材料以其實(shí)用性好，加工簡(jiǎn)便及成本低廉等特點(diǎn)一直在各大行業(yè)的占據(jù)著主導(dǎo)地位，而無(wú)論在科研界還是工業(yè)界，人們對(duì)二維材料的研究與應(yīng)用卻始終屈指可數(shù)。我們知道所有物質(zhì)的結(jié)構(gòu)都是由原子在三維空間堆疊而
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RRAM：走向新型嵌入式存儲(chǔ)之路

物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn)和人類(lèi)生活對(duì)智能設(shè)備永不滿(mǎn)足的需求正驅(qū)動(dòng)著傳統(tǒng)智慧在微控制器和嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)的徹底變革。
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RRAM領(lǐng)軍者Crossbar正式進(jìn)軍中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)

　　阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar公司今日宣布正式進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，并在上海設(shè)立新的辦事處。　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國(guó)是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng)，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們?cè)谥袊?guó)深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國(guó)消費(fèi)電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國(guó)際已達(dá)成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國(guó)際40nm甚至更高工藝，有望使
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