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全球首款28nm嵌入式RRAM畫質調節(jié)芯片正式量產
- 據(jù)北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內嵌RRAM（阻變存儲器）畫質調節(jié)芯片在京量產，并成功應用于國內頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標志著我國顯示類芯片達到新的半導體工藝高度。據(jù)相關負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經(jīng)來到2nm時代，但對于半導體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內工藝的天花板。畫質調節(jié)芯片要求集成各種補償算法，開發(fā)難度高，制造要求先進邏輯制程，是顯示芯片品類國產化率最低的產品之一。為推動中國芯片國產化進展
- 關鍵字： 顯芯科技 28nm RRAM 阻變存儲器
臺積電RRAM技術引入英飛凌汽車MCU
- 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。自第一個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構建塊。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術（eFlash）技術。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡功能的最新趨勢相
- 關鍵字： 臺積電 RRAM 入英飛凌 汽車MCU
英飛凌汽車MCU，選擇RRAM
- 據(jù)英飛凌稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。雖然基于臺積電28納米eFlash技術的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，但基于臺積電28納米RRAM技術的第一批樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設計，可提供新的E/E架構和經(jīng)濟實惠的AI應用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動機管理系統(tǒng)以來，就被用作
- 關鍵字： 英飛凌 汽車MCU RRAM
什么是FRAM?
- FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。關于鐵電質下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以
- 關鍵字： RRAM
兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權協(xié)議
- 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。RRAM作為一種非
- 關鍵字： 協(xié)議 專利 RRAM
馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
- 關鍵字： 憶阻器 RRAM
馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
- 關鍵字： RRAM DRAM
RRAM 或將改寫存儲器歷史—兼評國內學者如何做出一流成果
- 導語：上世紀中葉單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功，為后來的科技進步奠定了堅實的基礎。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產業(yè)，才有了如今半導體產業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質半導體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現(xiàn)，或指明了未來存儲器的發(fā)展方向。 三維(3D)材料以其實用性好，加工簡便及成本低廉等特點一直在各大行業(yè)的占據(jù)著主導地位，而無論在科研界還是工業(yè)界，人們對二維材料的研究與應用卻始終屈指可數(shù)。我們知道所有物質的結構都是由原子在三維空間堆疊而
- 關鍵字： RRAM 存儲器
RRAM領軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場
- 阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。 Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
- 關鍵字： Crossbar RRAM
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