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SiC器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀

  • 眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時(shí)同步降低電容以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶(hù)更好地利用寬帶隙快速開(kāi)關(guān)性能。可用的標(biāo)準(zhǔn)模塊越來(lái)越多，而且有越來(lái)越多的新先進(jìn)技術(shù)通過(guò)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)、降低熱阻與提高可靠性來(lái)提高產(chǎn)品價(jià)值。器件技術(shù)SiC 肖特基二極管銷(xiāo)售額占了 SiC 銷(xiāo)售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級(jí)。650V 二極管用于計(jì)
  • 關(guān)鍵字： WBG  RdsA  
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