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基于FPGA的抗SEU存儲器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

  • 基于FPGA的抗SEU存儲器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),O 引言隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運(yùn)行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響不可忽視
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抗SEU存儲器的FPGA設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

  • 抗SEU存儲器的FPGA設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),O 引言　　隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運(yùn)行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響不可
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抗SEU存儲器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn)

  • 抗SEU存儲器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn),　　O 引言　　隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運(yùn)行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響
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SEU的抑制

  • 　　引言 　　隨著工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，創(chuàng)新進(jìn)一步提高了器件在速率、容量和功耗等方面的性能，使得FPGA比ASIC更具優(yōu)勢。然而，技術(shù)的發(fā)展也突出了以前可以忽略的某些效應(yīng)，例如，單事件干擾(SEU)導(dǎo)致的軟誤碼影響越來越大。通過仔細(xì)的IC設(shè)計(jì)，65nm節(jié)點(diǎn)單位比特的軟誤碼率有所下降，但是每一工藝節(jié)點(diǎn)的邏輯容量在不斷翻倍，配置RAM(CRAM)比特數(shù)量也隨之增長。 　　現(xiàn)在的FPGA容量越來越大，功能越來越強(qiáng)，逐漸擔(dān)負(fù)起系統(tǒng)的核心功能，例如數(shù)據(jù)通路等；因此，設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⑾到y(tǒng)集成在一片可編程芯片中。這些發(fā)
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seu介紹

SEU是Single event upset的縮寫，中文譯為單粒子翻轉(zhuǎn)。是SEE的一種表現(xiàn)形式。 Single event upset (SEU) is defined by NASA as "radiation-inducederrors in microelectronic circuits caused when charged particles(usually from the rad [ 查看詳細(xì) ]

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