seu 文章 進入seu技術社區(qū)
SEU的抑制
- 引言 隨著工藝技術的迅速發(fā)展,創(chuàng)新進一步提高了器件在速率、容量和功耗等方面的性能,使得FPGA比ASIC更具優(yōu)勢。然而,技術的發(fā)展也突出了以前可以忽略的某些效應,例如,單事件干擾(SEU)導致的軟誤碼影響越來越大。通過仔細的IC設計,65nm節(jié)點單位比特的軟誤碼率有所下降,但是每一工藝節(jié)點的邏輯容量在不斷翻倍,配置RAM(CRAM)比特數(shù)量也隨之增長。 現(xiàn)在的FPGA容量越來越大,功能越來越強,逐漸擔負起系統(tǒng)的核心功能,例如數(shù)據(jù)通路等;因此,設計人員能夠將系統(tǒng)集成在一片可編程芯片中。這些發(fā)
- 關鍵字: SEU 干擾率
共4條 1/1 1 |
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473