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MAX4236, MAX4237 SOT23封裝、甚高精密、3V/5V、滿擺幅運算放大器

  • MAX4236/MAX4237為高精度運放，在不采用斬波技術的情況下取得了優(yōu)異的低失調電壓和低失調電壓溫度系數(shù)。MAX4236和MAX4237的典型大信號開環(huán)電壓增益為1
  • 關鍵字： MAX  4236  4237  SOT  

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  • 　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
  • 關鍵字： SOT-23  MOSFET  

英飛凌新型SOT-223封裝滿足低成本需求

  • 　　英飛凌科技(InfineonTechnologies)擴展采用SOT-223封裝的CoolMOSCE產(chǎn)品組合。采用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部份設計中節(jié)省空間，并降低功耗。SOT-223封裝不含中間針腳，完全相容于一般DPAK封裝，可直接取代DPAK。此全新封裝專為LED照明及行動充電器應用所設計。 　　新型SOT-223封裝能夠滿足成本縮減的需求，是價格敏感應用的理想選擇。封裝尺寸縮小后，不僅降低了成本，同時維持與既有DPAK封裝的相容性。采用
  • 關鍵字： 英飛凌  SOT-223  

以經(jīng)濟合算的方式采用SOT-223封裝的CoolMOS CE直接替換DPAK器件

  • 　　英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進一步擴充CoolMOS? CE產(chǎn)品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經(jīng)濟性備選方案，同時能在某些耗散功率較低的設計中節(jié)省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶在LED照明和手機充電器等應用的設計。　　通過簡便易行的引腳對引腳替換實現(xiàn)低成本　　全新SOT-223封裝能滿足價格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過縮小封裝尺寸，同時保持封裝與原
  • 關鍵字： 英飛凌  SOT-223  

以經(jīng)濟合算的方式采用SOT-223封裝的CoolMOS CE直接替換DPAK器件

  • 　　英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進一步擴充CoolMOS? CE產(chǎn)品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經(jīng)濟性備選方案，同時能在某些耗散功率較低的設計中節(jié)省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶在LED照明和手機充電器等應用的設計?！　⊥ㄟ^簡便易行的引腳對引腳替換實現(xiàn)低成本　　全新SOT-223封裝能滿足價格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過縮小封裝尺寸，同時保持封裝與原
  • 關鍵字： 英飛凌  SOT-223  

采用 SOT-23 封裝的微功率 80V 輸入LDO，現(xiàn)可提供 55oC 至 +125oC 軍用 MP 級版本

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3014B 的軍用 MP 級版本，該高電壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器能夠提供 20mA 輸出電流。LT3014B 可在 3V 至 80V 的連續(xù)輸入電壓范圍內工作，并產(chǎn)生 1.22V至 60V 的輸出電壓和一個 350mV 的低壓差，非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制等應用。該器件具有非常低的靜態(tài)電流，工作時為 7µA，而停機時為 1µA，這使其成為電池供電型存儲器的“保
  • 關鍵字： 凌力爾特  SOT-23  LT3014B  

MAX11210為單通道提供高達23.9位有效分辨率

  • MAX11210為單通道，24位ADC提供了在300mu;A業(yè)界領先的23.9位有效分辨率(ENOB的)。較高的ENOB消除耗電的增益級，同時實現(xiàn)最高的精度從傳感器成為可能。這使得MAX11210滿足4 - 20mA回路功率預算緊張的傳感器(為500m
  • 關鍵字： 11210  23.9  MAX  單通道    

采用TSOT-23 封裝的12 位、采樣A/D 轉換器LTC

  • LTC?2365/LTC2366 是 1Msps/3Msps、12 位、采樣 A/D 轉換器，分別僅從單 3V電源吸收 2mA 和 2.6mA 電流。這 ...
  • 關鍵字： TSOT-23  12  位  采樣A/D  轉換器  

泰景發(fā)布移動電視的戰(zhàn)略性產(chǎn)品路線圖

  • 　　讓電視隨處可看的泰景信息科技有限公司 (Telegent Systems) 日前發(fā)布了最新的產(chǎn)品路線圖，這將在模擬電視接收芯片市場上為一流的圖像質量、系統(tǒng)成本及功耗設定新的行業(yè)標準。泰景的產(chǎn)品路線圖是建立在其領先的市場地位之上，自從2007年年中推出這一開創(chuàng)性技術以來，該公司已經(jīng)在全球范圍內交付了9000多萬個內置于手機的免費無線接收移動電視芯片。泰景還宣布在今年提供數(shù)字和模擬混合的單芯片電視接收方案，這一單芯片解決方案能夠使泰景的手機客戶向目前正處于從模擬向數(shù)字電視標準過渡的市場投放產(chǎn)品。 　　泰
  • 關鍵字： 泰景  移動電視  TLG1122/23  

MAX4236, MAX4237 SOT23封裝、甚高精密、3V/5V、滿

  • MAX4236/MAX4237為高精度運放，在不采用斬波技術的情況下取得了優(yōu)異的低失調電壓和低失調電壓溫度系數(shù)。MAX4236和MAX4237的典型大信號開環(huán)電壓增益為120dB。這些器件的輸入偏置電流極小，僅為1pA。MAX4236的增益帶寬
  • 關鍵字： MAX  4236  4237  SOT    

經(jīng)濟高效的矢量控制驅動(下)

經(jīng)濟高效的矢量控制驅動(上)

  • 　　簡介 　　由于能效、環(huán)境問題及遵守新的能耗規(guī)定的必要性，對節(jié)能型工業(yè)和家用電器的需求最近也在攀升。這些規(guī)定迫使人們?yōu)橄匆聶C、空調壓縮機系統(tǒng)和風機等電器開發(fā)節(jié)能電機。據(jù)估計，電動機消耗的電力占工業(yè)應用消耗的總電力的70%以上，美國電力研究協(xié)會研究顯示，超過60%的工業(yè)電機以低于它們的額定負荷容量運行。 　　交流感應電機(ACIM)在工業(yè)和消費電子中的流行有很多原因(見圖1)。它們非常簡便(它們沒有刷子)，不但制造成本低，而且功能強大，幾乎不需要維護。它們的生產(chǎn)已經(jīng)有一些年頭，因此它們的構造極度優(yōu)化。
  • 關鍵字： freescale  交流感應電機  矢量控制驅動  MC56F8013/23  單旁路電流傳感  200904  

Microchip推出SOT-23封裝電池充電器

  • Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布，推出MCP73811和MCP73812（MCP7381X）鋰離子/鋰聚合物電池充電管理控制器。全新單電池器件采用5引腳SOT-23封裝，可提供全集成充電管理功能，及高達500 mA的可選或可編程充電電流。新產(chǎn)品兼容USB，同時片上配備集成電流感應、傳輸晶體管及反向電池保護功能，實現(xiàn)更小巧、更具成本效益的設計。      MCP7381X充電管理控制器符合USB輸出功率規(guī)格，因此終端用戶
  • 關鍵字： Microchip  SOT-23封裝  電池充電器  電源技術  模擬技術  封裝  

Microchip推出簡單SOT-23封裝單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池充電器

  • 　　Microchip Technology近日宣布，推出MCP73811和MCP73812（MCP7381X）鋰離子/鋰聚合物電池充電管理控制器。全新單電池器件采用5引腳SOT-23封裝，可提供全集成充電管理功能，及高達500 mA的可選或可編程充電電流。新產(chǎn)品兼容USB，同時片上配備集成電流感應、傳輸晶體管及反向電池保護功能，實現(xiàn)更小巧、更具成本效益的設計。 　　MCP7381X充電管理控制器符合USB輸出功率規(guī)格，因此終端用戶無需連接外部電源適配器，就可以通過多數(shù)個人計算機的US
  • 關鍵字： Microchip  SOT-23封裝  單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池充電器  電源技術  模擬技術  封裝  

安森美推出新SOT-723封裝功率MOSFET

  • 　安森美半導體推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導體領先業(yè)內的Trench技術來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。 　　NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電
  • 關鍵字： SOT-723  安森美  單片機  封裝  功率MOSFET  嵌入式系統(tǒng)  封裝  
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