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使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
- 關鍵字: CMOS,MOSFET 晶體管,Spice模型
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能!
- 過去,仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過,它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是,當涉及到功率器件時,這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結構,而是垂直結構,它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?,引入了更復雜的結構,如超級結,并極大地改變了MOSFET的行為?;維pice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在,通過引入物理和可擴展建模技術,安森美(onsemi)使仿真精度
- 關鍵字: 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
利用Pspice模型分析放大器環(huán)路的穩(wěn)定性
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關鍵字: SPICE模型 放大器環(huán)路 穩(wěn)定性 反饋
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