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stm32l 文章 進(jìn)入stm32l技術(shù)社區(qū)
技術(shù)細(xì)節(jié):STM32L如何實(shí)現(xiàn)超低功耗微?
- 意法半導(dǎo)體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)是STM32L取得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個(gè)技術(shù)平臺(tái)也被廣泛用于意法半導(dǎo)體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)基于意法半導(dǎo)體獨(dú)有的130nm制造工藝,為實(shí)現(xiàn)超低的泄漏電流特性,意法半導(dǎo)體對(duì)該平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下,EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)可以最大限度提升能效。此外,該平臺(tái)的內(nèi)嵌閃存采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的低功耗閃存技術(shù)。這個(gè)平臺(tái)還集成了直接訪存(DMA)支持功能,在應(yīng)用系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中關(guān)閉
- 關(guān)鍵字: STM32L 低功耗
ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺(tái)
- 微控制器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM),發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺(tái)的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺(tái)將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗,滿足不斷升級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求,延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備的工作時(shí)間。滿足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計(jì)和制程技術(shù),進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。 新平臺(tái)采用130nm制程,意法半導(dǎo)體對(duì)這個(gè)平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化,邏輯功能采用超低漏電流晶體管,模擬功能采用低壓晶體管,同時(shí)選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲(chǔ)器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電
- 關(guān)鍵字: ST 微控制器 電池驅(qū)動(dòng) 超低漏電流晶體管 低壓晶體管 STM8L STM32L
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