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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動車

  • SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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Semikron新型可控硅模塊設(shè)計用于過載情況

  • SEMiSTART，一款來自賽米控(Semikron)的新型反并聯(lián)可控硅模塊(W1C開關(guān))。該模塊被設(shè)計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級。尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3,000A的過載電流長達(dá)20秒(在啟動階段)；最大阻斷電壓為1,400V和1,800V。  與采用傳統(tǒng)的平板可控硅的設(shè)計不同，SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優(yōu)化過的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)高度緊湊且穩(wěn)健可靠的系統(tǒng)
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