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CISSOID與Silicon Mobility擴(kuò)大合作伙伴關(guān)系，提供完整的SiC逆變器參考設(shè)計(jì)

  • 2023年3月20日–佛羅里達(dá)州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其合作伙伴關(guān)系，以提供完整的模塊化碳化硅（SiC）逆變器參考設(shè)計(jì)，且支持高達(dá)350KW/850V的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該參考設(shè)計(jì)包括CISSOID基于SiC的高壓功率模塊、集成化柵極驅(qū)動(dòng)器，以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板，直流和相電流傳感器，直流母線電容器和EMI濾波，以及集成化液體冷卻裝置。CISSOID還將銷售和交付Silicon Mobil
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意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款靈活多用的電源模塊，簡化SiC逆變器設(shè)計(jì)

  • 意法半導(dǎo)體發(fā)布了兩款采用主流配置的內(nèi)置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導(dǎo)體的ACEPACK 2 封裝技術(shù)，功率密度高，安裝簡便。第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊，可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓?fù)?，?dǎo)通能效和開關(guān)能效均很出色，輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。這兩款模塊中的 MOSFET采用意法半導(dǎo)體的第二代 SiC 技術(shù)，RDS(on) x 芯片面積品質(zhì)因數(shù)
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sic逆變器介紹

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