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SuVolta成功獲得1060萬美元風險投資

  • 2014年1月15日，致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴展式半導體技術的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬美元的資金。
  • 關鍵字： SuVolta  DRAM  物聯(lián)網(wǎng)  

SuVolta發(fā)布DDC技術的電路級性能與功耗優(yōu)勢

  • 致力于開發(fā)低功耗CMOS技術的公司SuVolta日前發(fā)布了一項旨在展示其DDC(深度耗盡通道，Deeply Depleted Channel?)技術在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink?低功耗CMOS平臺設計、并由富士通半導體有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。
  • 關鍵字： SuVolta  富士通  半導體  DDC  

美半導體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta融資1760萬美元

  • 　　美國半導體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta已經(jīng)通過第二輪融資獲得了1760萬美元的投資。SuVolta曾和富士通開發(fā)出了一種節(jié)電芯片技術，適用于手機和平板電腦。 　　SuVolta在2010年的首輪融資中獲得了2200萬美元投資。此次融資的投資者包括了原有風投公司Kleiner Perkins Caufield 　　& Byers、August Capital和NEA;新投資者包括Bright Capital、Northgate Capital和DAG Ventures等。 　　SuVolta首輪
  • 關鍵字： SuVolta  節(jié)電芯片  

美半導體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta融資1760萬美元

  • 　　美國半導體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta已經(jīng)通過第二輪融資獲得了1760萬美元的投資。SuVolta曾和富士通開發(fā)出了一種節(jié)電芯片技術，適用于手機和平板電腦。 　　SuVolta在2010年的首輪融資中獲得了2200萬美元投資。此次融資的投資者包括了原有風投公司Kleiner Perkins Caufield 　　& Byers、August Capital和NEA;新投資者包括Bright Capital、Northgate Capital和DAG 　　Ventures等。 　　SuVolt
  • 關鍵字： SuVolta  半導體  

富士通半導體與SuVolta攜手合作

  • 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
  • 關鍵字： 富士通  SuVolta  SRAM  

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術

  • 致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術細節(jié)。SuVolta的DDC技術是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
  • 關鍵字： SuVolta  CMOS   

SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術。 　　
  • 關鍵字： SuVolta  CMOS  

PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  
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