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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

  • 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  TOLT封裝  氮化鎵  SuperGaN  

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
  • 關(guān)鍵字： 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  SuperGaN FET  驅(qū)動器  
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