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意法半導(dǎo)體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應(yīng)用性能

• 中國，2019年4月30日——意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級產(chǎn)品。新HB2系列屬于STPOWER?產(chǎn)品家族，更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導(dǎo)通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關(guān)，提高動態(tài)開關(guān)性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時新系列還是
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