- 7月1日消息，據國內媒體報道稱，四川科學家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領域內70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經歷反復極化切換后，極化只能實現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現報道，
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存儲芯片 TLC QLC
- 距離年初在CES上首次展示過去了半年多，SK海力士今天終于正式發(fā)布了新款SSD Gold P31，這是全球首款面向消費級市場的128層堆疊NAND閃存產品，也是SK海力士的第一款消費級PCIe SSD。Gold P31基于SK海力士的所謂4D NAND，本質上還是3D堆疊，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)，只不過在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。它在一年前就開始量產了，128層堆疊，號稱堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb(128GB)，集成超過3600億個閃存單元。不過這一次，
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SK 海力士 TLC SSD 1TB
- 隨著數據中心支持的人工智能（AI）和機器學習（ML）工作負載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網絡存儲工業(yè)協會（SINA）新推出的企業(yè)和數據中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點，能驅動NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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QLC TLC AI ML SINA IOPS
- 紫光已經推出了多款自己的SSD固態(tài)硬盤產品，消費級有SATA S100、M.2 P100等，企業(yè)級則有PCIe/U.2 P8260。今天，紫光悄然在京東商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型號為“P5160”，號稱采用了原廠原片顆粒，容量256GB、512GB，但是主控未知，或許繼續(xù)與群聯合作。這款SSD是標準的M.2 2280形態(tài)，單面設計，無需散熱片，采用PCIe 3.0 x4接口并支持NVMe 1.3。性能方面，256GB的持續(xù)讀寫3.2GB/s、1.25GB/s，隨機讀寫200K IOPS、3
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固態(tài)硬盤 TLC
- 在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。紫光旗下的長江存儲（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預計，初期的月產能在5000片左右。來自業(yè)內分析人士最新爆料稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產能提高到6萬片。不過，接受采訪時，長江存儲聯席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華未對產能數據予以確認，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進產品的研發(fā)計劃。有報道猜測，長江存儲可能會跳過96層堆棧，預
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閃存 TLC 閃存紫光 長江存儲
- TLC1549是美國德州儀器公司生產的10位模數轉換器。它采用CMOS工藝，具有內在的采樣和保持，采用差分基準電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準轉換范
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1549 8051 TLC 串行控制
- SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網訊：X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)
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SLC MLC TLC 區(qū)別
- 整個紫光TLC的表現還是相當不錯的，我們的半導體產業(yè)正在穩(wěn)步的前進。起碼我么們現在的已經是從無到有，可以期待未來從有到強。
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紫光 TLC
- 存儲器解決方案全球領導者東芝存儲器株式會社今日宣布，公司已開發(fā)出采用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產品采用三位元(三階存儲單元，TLC)技術。該96層新產品為256千兆比特(32GB)設備，其樣品預計將于2017年下半年發(fā)布，批量生產計劃于2018年啟動。該新產品滿足企業(yè)級和消費級SSD、智能手機、平板電腦和存儲卡等應用的市場需求和性能規(guī)范。 未來，東芝存儲器株式會社將在不久的將來在其512千兆比特(64GB)等較大容量產品中應用其新的96層工
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東芝 TLC
- 1 TLC5510簡介TLC5510是美國德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構A/D轉換器，采用CMOS工藝，大大減少比較器數。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率，可廣泛應用于高速數據轉換、數字TV、醫(yī)學圖像、視頻會議以及QAM解調器等
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TLC 高阻抗 并行接口
- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 閃存
- SSD干掉HDD硬盤已經不是可能不可能的問題，只是時間長短的問題。
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TLC HDD
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經由云端與Flash兩股推力驅動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經由融合式基礎架構(ConvergedInfrastructure)、DevOps(DevelopmentandOperations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。
此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓AllFlash資料中心的將進入主流儲存領域。
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TLC SAS
- 全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Fl
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NAND Flash TLC
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)憑借其優(yōu)異性能及高可靠度的產品設計，一直受到眾多儲存廠商的親睞。近日，該公司受國內知名SSD內存品牌金泰克(Tigo)之邀，出席了其近日于深圳舉辦的TLC系列的固態(tài)硬盤產品發(fā)布會。
這款命名為T-One的固態(tài)硬盤采用了慧榮科技SM2256控制芯片，并搭配海力士最新16mn 128 Gb的TLC NAND閃存，展現出非凡的性能表現：該產品
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慧榮科技 TLC
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