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導(dǎo)入TSV制程技術(shù)　模擬芯片邁向3D堆疊架構(gòu)

  • 　　類(lèi)比積體電路設(shè)計(jì)也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開(kāi)發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類(lèi)比晶片公司也積極建置類(lèi)比3D IC生產(chǎn)線(xiàn)，期透過(guò)矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類(lèi)比元件，以提升包括電源晶片、感測(cè)器與無(wú)線(xiàn)射頻(RF)等各種類(lèi)比方案效能。 　　奧地利微電子執(zhí)行副總裁暨Full Service Foundry部門(mén)總經(jīng)理Thomas Riener認(rèn)為，3D IC技術(shù)將擴(kuò)大類(lèi)比晶片市場(chǎng)商機(jī)。 　　奧地利微電子(AMS)執(zhí)行副總裁暨Full Service
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tsv制程介紹

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