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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)

  • 　　2016年將完成多種半導(dǎo)體異質(zhì)整合水平 　　TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOSImageSensor以TSV3DIC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開(kāi)TSV3DIC實(shí)用化的序幕。 　　于此同時(shí)，全球主要芯片制造商制程技術(shù)先后跨入奈米級(jí)制程后，各廠商亦警覺(jué)到除微縮制程技術(shù)將面臨物
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  半導(dǎo)體  TSV3DIC  
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