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以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

  • 　　來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。 　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
  • 關鍵字： TSV芯片  CMOS   

IBM開發(fā)TSV芯片連接技術

  • 計世網消息 IBM公司將用一種相對較新的方式將芯片連接在一起，據IBM公司表示，這將有助于提高系統性能并降低能耗量。  這一被稱為TSV(通過硅芯片過程)的技術利用數以千計的導線將不同的諸如處理器和內存，或者兩個芯片中不同內核的組件連接起來。而在當前，芯片主要是通過被稱為總線的“通道”傳輸數據，總線有時會發(fā)生擁擠和堵塞等現象。而采用TSV技術，芯片每秒種能夠以一種更為節(jié)能的方式傳輸更多的數據。 IBM公司并不是第一家開始談論TSV的公司，第一家開始談論TSV的應該是英特爾公司，但IBM
  • 關鍵字： IBM  TSV芯片  連接技術  消費電子  消費電子  
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tsv芯片介紹

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