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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章,和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況,同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片,對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作,還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái),這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖,圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖,從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的,里面包含了許
- 關(guān)鍵字: SiC Traction模塊 安森美 202311
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