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面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時VTH 測量（一）

  • 引言在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫 度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。 當前NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期
  • 關鍵字： VTH  

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

  • 摘要：傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
  • 關鍵字： CMOS  VTH  電壓基準    
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