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什么是3D XPoint？為什么它無人能敵卻又前景堪憂？

  • 3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
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新東芝存儲不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價比

  • 在近日召開的國際電子設(shè)備會議（IEDM）上，東芝存儲發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時它表示對3D XPoint之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實(shí)對于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗(yàn)，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強(qiáng)的SLC在4K隨機(jī)性能、
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藉3D XPoint技術(shù)，美光宣布推出全球速度最快SSD

  • 存儲器大廠美光（Micron）近日宣布，正式推出全球最快的SSD–Micron X100 SSD，每秒250萬次讀寫速度，以及超過9GB/s的頻寬都是目前全業(yè)界最高規(guī)格，預(yù)計本季提供樣品予客戶。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
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Intel：NAND閃存不再新建廠 傲騰轉(zhuǎn)向中國生產(chǎn)

  • NAND閃存持續(xù)供過于求，價格不斷走低，消費(fèi)者們很高興，廠商們很不爽，Intel就在近日的投資者大會上披露，可預(yù)期的未來內(nèi)也不會再建設(shè)新的閃存工廠。
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研發(fā)主管U盤拷走Intel技術(shù)機(jī)密：獻(xiàn)給對手

  • 　　Intel風(fēng)生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲芯片打造的，而該技術(shù)其實(shí)是Intel和美光合研所得。不過，Intel和美光已經(jīng)宣布，將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發(fā)后分道揚(yáng)鑣，同時，該存儲芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠，也已經(jīng)被美光全資收購，今年底交割完成。　　然而，關(guān)于3D Xpoint，Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場官司?！　〖又輺|區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示，Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
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NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

  • 9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  NAND  3D Xpoint  201710  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個東西屬不屬于PCM？

  • 　　美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點(diǎn)。 　　   　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。 　　本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項(xiàng)技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運(yùn)用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進(jìn)行了咨詢，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點(diǎn)——同樣圍繞這兩點(diǎn)，該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。 　　本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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