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Zeno開發(fā)特殊SRAM　可提升MOS結構效能

  • 　　Zeno Semiconductor日前開發(fā)出將最小靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時間也可大幅縮短4成?！　?jù)EE Times網(wǎng)站報導，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術。Zeno執(zhí)行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過采
  • 關鍵字： Zeno  SRAM　  
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